| Статья |
|---|
| Название статьи |
Распределение электронной плотности и динамика кристаллической решетки фторида лития по рентгенографическим данным |
| Авторы |
Сидоров А.А. кандидат физико-математических наук, a-a-sidorov@yandex.ruХолодовский В.Е. кандидат физико-математических наук, a-a-sidorov@yandex.ruКульченков Е.А. старший преподаватель кафедры общей фи- зики, a-a- sidorov@yandex.ruЩелоков А.В. , a-a-sidorov@yandex.ru Канайкина К.В. , a-a-sidorov@yandex.ru |
| Библиографическое описание статьи |
|
| Рубрика |
Научные исследования |
| УДК |
УДК 538.915 |
| DOI |
|
| Тип статьи |
|
| Аннотация |
В настоящей работе определены рентгенографическим методом распределение элек-
тронной плотности, радиусы ионов, динамические характеристики кристаллической ре-
шетки фторида лития и характеристические температуры Дебая для подрешеток Li и F.
|
| Ключевые слова |
фторид лития, электронная плотность, среднеквадратичное сме-
щение, характеристическая температура Дебая. |
| Информация о статье |
|
| Список литературы |
1. Вейс В. Физика твердого тела. М.: Атомиздат, 1968. 456 с.
2. Кульченков Е. А., Сидоров А. А. Распределение электронной плотности и потенциала по
данным упругого рассеяния рентгеновских лучей в кристаллах со структурой алмаза // Вестник
БГТУ, 2007. №2. С. 118-123.
3. Кульченков Е. А. Структурный множитель и атомно-рассеивающий фактор кремния /
дис. ... магистра. Брянск, 2001. 76 с.
4. Сидоров А. А., Холодовский В. Е., Кульченков Е. А., Бавкунов М. А., Авдащенко Д. В.,
Малофеев С. Е. Исследование импульсного распределения электронов в углероде по компто-
новским профилям // Вестник БГТУ, 2009. №3. С. 165–170.
5. Сидоров А.А. Тепловое расширение, среднеквадратичные смещения и ангармонизм коле-
баний атомов Si, BN , GaP и твердых полупроводниковых растворов систем (JnP)x(JnAs)1-x,
(GaAs)x(JnAs)1-x в области 7 – 310 К по рентгенографическим данным / дисс. ... канд. физ.-
мат.наук. Брянск, 1987. 224 с.
6. Сирота Н. Н., Сидоров А. А. Определение температурной зависимости теплоемкости
и характеристической температуры Si, GaP, InAs по интенсивности брегговских рефлексов в
области температур 7 – 310 К // Доклады академии наук СССР, 1988. №5. Т. 303. С. 1123–1126. |
| Полный текст статьи | Распределение электронной плотности и динамика кристаллической решетки фторида лития по рентгенографическим данным |
