Статья
Название статьи Материалы с низкой диэлектрической проницаемостью в микро- и наноэлектронике
Авторы Архинчеев В.Е.доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Отдела физических проблем varkhin@mail.ru
Бакланов М.Р. доктор химических наук, руководитель програм- мы по надежности ИС baklanov@imec.be
Библиографическое описание статьи
Рубрика
DOI
УДК УДК 621.3.049.77
Тип статьи
Аннотация Открытие транзистора является одним из самых выдающихся событий в научно- технической революции XX века. Следующим важнейшим шагом был переход к инте- гральным схемам. Интегральная схема ( ИС) представляет собой миниатюрную элек- тронную схему, состоящую в основном из полупроводниковых транзисторов, диодов, а также пассивных компонент. Интегральные схемы формируются на поверхности полу- проводникового материала и используются во всех современных электронных приборах, используемых сегодня. Создание компьютеров, сотовых телефонов и других электрон- ных гаджетов, ставших необходимыми предметами в современном обществе, стало воз- можным благодаря повсеместному внедрению интегральных схем. Возросшая сложность интегральных схем, содержащие до 109 элементов/см2, требует разработки и внедрения современных материалов. Это не только новые типы полупроводниковых материалов, но также новые виды проводящих и изолирующих материалов. Недавно традиционные алюминиевые контактные соединения были заменены на медные; в настоящее время карбоновые нанотрубки и графен также рассматриваются как возможные кандидаты. Различные типы изолирующих материалов используются для изоляции входов в тран- зисторах (high-k материалы) и для межконтактных соединений в интегральных схемах (low-k). Настоящая обзорная статья дает краткий исторический обзор и более деталь- ное обсуждение свойств материалов с низкой диэлектрической проницаемостью, которые были получены и исследованы в последние деясть лет.
Ключевые слова микроэлектроника, технология межконтактных соединений, мате- риалы с низкой диэлектрической проницаемостью, пористость.
Информация о статье
Список литературы 1. Arkhincheev V. E., Kunnen E., Baklanov M. R. // Journal of Microelectronics, 2011, V. 88. P. 696. 2. Arkhincheev V. E., Baklanov M. R.// Fractals in micro- and nanoelectronics // Fractals : theory and applications. 2011. New York. Novapublishers. 3. Baklanov M. R., Mogilnikov K. P., Polovinkin V. G. & Dultsev, F. N. // 2000, J.Vac.Sci.Technol. V. 18, P. 1385. 4. Baklanov M. R., & Mogilnikov K. P. // Microelectronic Engineering. 2002. V. 64. P. 335. 5. Baklanov M. R., Jehoul C., Flannery C. M., Mogilnikov, K. P., Gore R., Gronbeck D., Prokopowicz G., Sullivan C., You Y., Pugliano N. & Gallagher, M. // 2001 Proc. MRS Advanced Metallization Conference (AMC2001), 273–278. 6. Baklanov M. R., Mogilnikov K. P. & Yim J-H. // 2004 Mat.Res.Soc.Symp.Proc., V. 812, F5.4.1–F5.4.6. 7. Brinker C. J. & Scherer G. W. // Sol-Gel Science: the physics and chemistry of Sol-Gel processing. 1990 NY: Academic Press, Inc. 8. Dultsev F. N. & Baklanov M. R. // Electrochem.Sol.St.Lett. 1999 2, 192–194. 9. Dultsev F. N. // Thin Solid Films. 2004. V. 458.P. 137–142. 10. Gidley D. W., Frieze W. E., Dull T. L., Sun J., Yee A. F., Nguyen C. V. & Yoon D. Y. // 2000. Appl.Phys.Lett.. V. 76. P. 1282–1284. 11. Gregg S. J. & Sing, S. W. // Adsorption, Surface Area and Porosity, 19822nd ed., NY: Academic Press Inc. 12. Grill A. // 2003. J. Appl. Phys. V. 93. P. 1785. 13. Grill A., Patel V., Rodbell K. P., Huang, E., Baklanov M. R., Mogilnikov K. P., Toney M. & Kim H.-C. // Porosity in PECVD deposited SiCOH dielectrics: A comparative study. J. Appl. Phys. 2003 V. 94. P. 3427–3435. 14. Hedden R. C., Lee H. J., Bauer B. J. // Langmuir . 2004. V. 20. P 416–422. 15. Kondoh E., Baklanov M. R., Lin, E., Gidley D. W. & Nakashima, A. // Jap. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. Part 2, 4A, P. L323–L326. 16. Lee H. J., Soles C. L., Liu D.W., Bauer B. J., and WuW. L. // J.Polym.Sci. Part B-Polymer Physics 2002. V. 40. P. 2170–2177. 17. Maex K., Baklanov M. R., Shamiryan D., Iacopi F., Brongersma S. H. & Yanovitskaya Z. S. // Appl. Phys. Rev. 2003 .V. 93. P. 8793–8841. 18. Mogilnikov, K. P., Baklanov, M. R., Shamiryan, D. & Petkov, M. P. // Jpn.J.Appl.Phys. 2004. V. 43. P. 243. 19. Murarka S. P. Dielectric properties // 2003. In Interlayer dielectrics. (ed. S. P. Murarka, M. Eizenberg & A. K. Sinha), P. 7–36. Elsevier: Academic Press. 20. Petkov, M. P., Weber M. H., Lynn K. G., Rodbell K. P. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 3884–3886. 21. Plawsky J. L., Gill W. N., Jain A. & Rogojevic, S. Nanoporous dielectric films: fundamental property relations and microelectronic applications // 2003. In Interlayer dielectrics (ed. S. P. Murarka, M. Eizenberg & A.K.Sinha), P. 7–36. Elsevier: Academic Press. 22. Rouquerol J., Avnir D., Fairbridge C. W., Everett D. H., Haynes J. H., Pernicone N., Ramsay J. D. F., Sing K. S. W. & Unger K. K. // Pure & Appl. Chem. 1994. V. 66. P. 1739–1758. 23. Wu W., Wallace W. E., Lin E., Lynn G. W., Glinka C. J., Ryan R. T. & Ho H. // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. P. 1193–1200.
Полный текст статьиМатериалы с низкой диэлектрической проницаемостью в микро- и наноэлектронике