Статья
Название статьи Аппроксимация атомно-рассеивающего фактора в кристаллической решётке на основе электромагнитной теории рассеяния
Авторы Сидоров А.А.кандидат физико-математических наук a-a-sidorov@yandex.ru
Холодовский В.Е.кандидат физико-математических наук a-a-sidorov@yandex.ru
Кульченков Е.А. старший преподаватель кафедры общей фи- зики a-a- sidorov@yandex.ru
Библиографическое описание статьи
Рубрика
DOI
УДК 538.9В
Тип статьи
Аннотация Описана новая методика нахождения аппроксимирующей функции атомно- рассеивающего фактора для атомов в кристаллической структуре, которая по физи- ческому смыслу отвечает понятию сглаживающей fhkl-кривой.
Ключевые слова электронная плотность, атомно-рассеивающий фактор, кристалли- ческая решётка.
Информация о статье
Список литературы 1. Миркин Л. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / под ред. Я. С. Усманского. М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1961. 863 с. 2. Блохин М. А. Физика рентгеновских лучей. М.: Наука, 1957. 510 с. 3. Олехнович Н. М., Сирота Н. Н., Маковецкий Г. И. О распределении электронной плотности в решётке селенида марганца. Минск: Наука и техника. 1996. С. 59–63. 4. Горохов И. Г., Цветков В. П. Исследование распределения потенциала и элек- тронной плотности в решётке кремния по рентгенорафическим данным. Минск: Наука и техника. 1996. С. 85–92. 5. Сидоров А. А., Кульченков Е. А. Расчёт распределения электронной плотности по данным упругого рассеяния рентгеновских лучей в кристаллах со структурой алмаза // Вестник БГТУ. Брянск, 2007. № 2. С. 118–123.
Полный текст статьиАппроксимация атомно-рассеивающего фактора в кристаллической решётке на основе электромагнитной теории рассеяния