| Статья |
|---|
| Название статьи |
Температурные зависимости спектров плазменного отражения кристалла Bi0,6Sb1,4T e3 в диапазоне температур 78 К – 292 К |
| Авторы |
Степанов Н.П.доктор физико-математических наук np-stepanov@mail.ruТрубицына Е. .магистр физического образования TrubitsinaEkaterina@gmail.com |
| Библиографическое описание статьи |
|
| Рубрика |
|
| DOI |
|
| УДК |
537.5+534.143 |
| Тип статьи |
|
| Аннотация |
В ходе исследований оптических свойств кристаллов твёрдых растворов Bi2T e3-
Sb2T e3 изучались закономерности изменения состояния электронной системы при варьи-
ровании температуры и соотношения компонент Bi2T e3 и Sb2T e3. Было установлено, что
при содержании 75 % Sb2T e3 в составе твёрдого раствора происходит сближение энер-
гии плазменных колебаний свободных носителей заряда и энергии межзонных переходов,
формирующих край фундаментального поглощения. Уменьшение температуры кристал-
ла Bi0,6Sb1, 4T e3 от 300 до 78 К позволило наблюдать плавное смещение плазменного
края в направлении края фундаментального поглощения и деформацию спектров отра-
жения, обусловленную усиливающимся электрон-плазмонным взаимодействием.
|
| Ключевые слова |
полупроводники, термоэлектрические материалы, плазменный ре-
зонанс, край фундаментального поглощения, спектр отражения. |
| Информация о статье |
|
| Список литературы |
1. Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Полупроводниковые термоэлек-
трические материалы на основе Bi2T e3. М.: Наука, 1972. 321 с.
2. Степанов Н. П., Грабов В. М. Оптические эффекты, обусловленные совпадени-
ем энергии плазменных колебаний и межзонного перехода в легированных акцепторной
примесью кристаллах висмута // Оптика и спектроскопия. 2002. Т. 92. №5. С. 794–798.
3. Степанов Н. П. [и др.]. Анизотропия плазменного отражения твердых растворов
(Bi2−xSbx) T e3(0 < x < 1) в диапазоне температур от 78 до 293 К // Оптика и спектро-
скопия. 2011. Т. 111. №6. C. 967–973.
4. Степанов Н. П., Калашников А. А., Улашкевич Ю. В. Оптические функции кри-
сталлов твёрдых растворов Bi2T e3−Sb2T e3 в области возбуждения плазмонов и межзон-
ных переходов // Оптика и спектроскопия. metricconverterProductID2010 г. 2010. T. 109.
№6. C. 1138–1143.
5. Austin J. G. Proc. Phys. Soc. 72. 549(1958).
6. Dornhaus R., Nimtz G. The Effect of Single-phonon and plasmon recombination on the
Lifetime in n − Hg1−xCdx Te with magnetically tuned bandgap // Solid - State Electronics.
1978. V. 21. P. 1471–1474.
7. Groth R., Schnabel P., Phys J. Chem. Sol. 25. 1261 (1964).
8. Sehr R., Testardi L. R,. Apll J. Phys. 34. 2754 (1963).
9. Sehr R., Testаrdi L. R., J.Phys. Chem. Sol.23. 1219(1962).
10. Stordeur M. Investigation of valence band structure of thermoelectric Bi2T e3Sb2T e3
single crystals / M. Stordeur, M. Stolzer, H. Sobotta, V. Riede // Phys. stat. sol. (b) 150.
1988. P. 165–176.
11. Stordeur M. Investigation of valence band structure of thermoelectric Bi2T e3Sb2T e3
single crystals / M. Stordeur, M. Stolzer, H. Sobotta, V. Riede // Phys. stat. Sol. (b) 150.
1988. P. 260.
12. Wolff P. A. Plasma-wave instability in narrow-gap semiconductors // Physical review
letters. 1970. V. 24. №6. P. 266–269. |
| Полный текст статьи | Температурные зависимости спектров плазменного отражения кристалла Bi0,6Sb1,4T e3 в диапазоне температур 78 К – 292 К |
