| Статья |
|---|
| Название статьи |
Экспериментальное определение статических и оптических времён релаксации в теллуридах висмута и сурьмы |
| Авторы |
Степанов Н.П.доктор физико-математических наук np-stepanov@mail.ruСтепанова Л.Э. slilya61@mail.ruЛозовская А.С.аспирант кафедры химии nastya15.86@mail.ru |
| Библиографическое описание статьи |
|
| Рубрика |
|
| DOI |
|
| УДК |
537.226.1: 537.311.322 |
| Тип статьи |
|
| Аннотация |
На основе исследований электропроводности и плазменного отражения кристалла BiisSbQ^Tez получены закономерности температурного поведения статических и оптических времён релаксации в диапазоне от 85 до 300 К. Установлено, что температурная зависимость статического времени релаксации в диапазоне 85 150 К соответствует рассеянию вырожденных, а в диапазоне 200 300 К — невырожденных носителей заряда на акустических колебаниях решётки. Обнаружено расхождение значений статических и оптических времён релаксации, коррелирующее со сближением энергии плазмонов и переходов носителей между неэквивалентными экстремумами валентной зоны.
|
| Ключевые слова |
статическое и оптическое время релаксации, электропроводность, плазменный резонанс, межзонные переходы, электрон-плазмонное взаимодействие. 1
|
| Информация о статье |
|
| Список литературы |
1. Иванова Л. Д. Термоэлектрические свойства монокристаллов твёрдых растворов системы Sb2Te3 — В%2Те3 в области температур 100-700 К // Неорганические материалы. 2000. Т. 36. № 7. С. 810-816.
2. Степанов Н. П. Анизотропия плазменного отражения твёрдых растворов (Bi2~xSbx)2Tes(0 < х < 1) в диапазоне температур от 78 до 293К // Оптика и спектроскопия. 2011. Т. 111. № 6. С. 967—973.
3. Гольцман Б. М. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе BizTe3 // М.: Наукаб, 1972. 320 с.
4. Степанов Н. П. Природа диамагнитного максимума в температурных зависимостях магнитной восприимчивости кристаллов {Bi2-xSbx)2Te^{Q < х < 1) // ФТП. 2012. Т. 46. № 8. С. 1004-1011.
5. Степанов Н. П., Грабов В. М. Влияние электрон-плазмонного взаимодействия на релаксационные процессы в кристаллах висмута и сплавов висмут- сурьма // ФТТ. 2003. Т. 45. № 9. С. 1537-1541.
6. Tussing R, Rosental W., Hang A. Recombination in semiconductors by excitation plasmons // Phys. Stat. Sol. (b). 1972. V. 52. №2. P. 451-456.
7. Elci A. Electron-hole recombination via plasmon emission in narrow-gap semiconductors // Phys. Rev. (b). 1977. V. 16. № 12. P. 5443-5451.
8. Степанов H. П., Немов С. А., Житинская M. К. Оптические свойства легированных кристаллов теллурида висмута в области плазменных эффектов // ФТП. 2007. Т. 41. № 7. С. 808-811. |
| Полный текст статьи | Экспериментальное определение статических и оптических времён релаксации в теллуридах висмута и сурьмы |
